技术编号:7145370
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及由硅构成的单晶半导体的热处理领域。热处理通常在井式炉(“晶片船”)中执行。在这种炉中,多个半导体晶片被同时加热到高温并保持相对较长的时段。在这种情况下,它们以彼此间隔开地上下堆叠的方式支撑在支撑环上。这种支撑环(“基座环”)通常由碳化硅构成,且具有在热处理过程中支撑放置在它上面的半导体晶片的任务。背景技术热处理的目的是提供ー种用于从表面延伸到半导体晶片的内部中且没有可干扰 电子器件的功能的电子有效结构的区(“洁净区”)。这种缺陷特别是进入的氧气的...
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