技术编号：7145527
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种包括结晶度彼此不同的薄膜半导体层的半导体器件、一种该器件的基片、以及一种制造该器件和基片的方法。背景技术 众所周知，在薄膜半导体器件例如晶状薄膜半导体晶体管(TFT)中，半导体材料例如硅的绝缘薄膜在基片上彼此间隔形成，该基片由绝缘材料例如碱玻璃、非碱玻璃或石英玻璃形成。源极区、漏极区以及布置于该源极区和漏极区之间的沟道区形成于各绝缘半导体薄膜上，且栅电极通过栅极绝缘膜布置在各沟道区上，以便构成TFT。如图11A至11E所示，上述薄膜半导体器件...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。