技术编号：7145797
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及以硅晶片为代表的半导体晶片，尤其涉及半导体晶片的形状。背景技术 以往，例如作为半导体基板材料所使用的硅晶片的制造是在晶片厂进行的，一般而言，通过切克劳斯基(CzochralskiCZ)法或漂浮区域溶融(Floating ZoneFZ)法等生成圆筒状的半导体单晶锭料，将所生成的半导体单晶锭料切断成薄板状(切片)而制制作晶片后，对所取得的晶片进行下列的工程来制造半导体晶片为了防止晶片破裂、缺口而将晶片外周部予以倒角的倒角工程；为了使晶片的厚度及平整度...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。