技术编号:7145961
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件及其制造方法,尤其涉及一种N沟道耗尽型功率MOSFET器件及制造方法。背景技术MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)可以分为增强型和耗尽型,其中增强型是指当VGS (栅源电压)为O时,管子呈截止状态,当加上合适的VGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而使多晶栅极下的载流子增强,形成导电沟道,这种MOS管称为增强型MOS管。耗尽型是指当VGS=O时,即存在沟道,加上合适的VGS时,能使多数载流子流出沟道,载流子耗尽管子转向截止。...
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