技术编号:7146296
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种钨/铜栓结构及包括该钨/铜栓结构的半导体器件。背景技术目前,半导体的标准制程中,针对COMS器件的金属欧姆接触部分的工艺步骤,主要采用化学机械研磨工艺(Chemical Mechanical Polishing ,简称CMP)对通孔中的鹤进行平坦化工艺,进而形成钨栓接触。图1-6为本发明背景技术中形成钨栓接触的传统工艺步骤流程示意图;如图1-6所示,首先,提供一具有源级(S)、漏极(D)和栅极(G)的半导体衬底结构1,...
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