技术编号:7146309
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种电子元件的结构,尤其是一种IGBT集电极结构。背景技术IGBT 绝缘栅型双极晶体管的首字母简称,一种压控型功率器件,作为高压开关被普遍应用。通常按照电场在漂移区内耗尽情况,分为穿通型和非穿通型,后随工艺发展又出现场截止型。如图I所示,为非穿通型(NPT)器件,其芯片设计厚度较厚,导致器件的饱和导通压降Vce (sat)较高,而且在器件关断时,存在载流子复合过程,关断时间较长,器件的动、静态性能都较差。但是这种器件饱和导通压降随着温度升高而升高...
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