技术编号:7146513
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。 背景技术磷化铟αηΡ)晶片是重要的化合物半导体材料,与砷化镓(GaAs)相比,其优越性主要在于高的饱和电场飘移速度、导热性好以及较强的抗辐射能力等。在当前迅速发展的光纤通讯领域,磷化铟晶片是首选的衬底材料。随着磷化铟晶片的广泛应用,人们对晶片的表面质量也提出了更高的要求。硅 (Si)和砷化镓晶片的清洗方法已经得到了较好解决,如中国专利CN101661869中所述。然而,由于磷化铟特殊的物理化学特性,同样的方法往往不能令人满意地应用于磷化铟...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。