技术编号:7146868
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,具体而言,涉及提供光刻胶去除技术的半导体器件的制造方法及所用的制造设备。背景技术在一个示例常规工艺中,在衬底上施加光刻胶并且对其进行图案化,使得衬底的一些区域被暴露出来。然后,用掺杂物注入暴露出来的区域。然而,注入工艺可能使光刻胶层的外部发生化学变化,使得外部包括具有单碳键的韧性聚合物。光刻胶层的发生化学变化的外部可能使光刻胶层更难用常规技术去除掉。一种常规技术包括使用等离子体灰化工艺和湿式清洁以去除光刻胶。等离子体灰化工艺产生来自光...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。