技术编号：7147145
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体IGBT (Insulted Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)芯片结构，尤其是涉及一种具有双重空穴阻挡效应的沟槽栅型IGBT芯片结构。背景技术绝缘栅双极晶体管(IGBT )具有通态压降低、电流容量大、输入阻抗高、响应速度快和控制简单的特点，被广泛用于工业、信息、新能源、医学、交通、军事和航空领域。为了降低IGBT的导通压降，人们采用沟槽栅结构，将沟道从横向变为纵向，消除了导通电阻中RJFET的影响。同...
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