技术编号：7147290
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术区域本发明涉及发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等发光元件、太阳电池、光传感器等受光元件、或是晶体管、功率器件等电子器件所使用的氮化物半导体器件及其制造方法。采用粘合构造作为制造方法之一。 背景技术 虽然氮化物半导体作为直接跃迁型半导体是有前途的半导体材料，但是大块体单晶的制造很困难。因此，现在普遍采用在蓝宝石、SiC等异质衬底上利用有机金属气相生长法(MOCVD)来生长GaN的异质外延生长技术。其中，已经证实，蓝宝石由于在外延生长工序的高温氨气...
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