技术编号:7147405
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路用器件,尤其涉及一种芯壳结构纳米线遂穿场效应器件。 背景技术传统场效应器件在按照摩尔定律不断缩小尺寸的过程中,遇到了诸如短沟道效应和栅电流增大等瓶颈限制了其进一步发展。许多新型器件理念和结构被提出,例如,遂穿场效应晶体管,绝缘体上硅器件,双栅器件、三栅器件、环栅纳米线器件等。其中,遂穿场效应晶体管由于其独特的工作机理,可以提供优良的亚阈值特性和极低的关态电流;环栅纳米线器件则以其优秀的栅控能力,能够提供高的开关电流比,受短沟道效应和...
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