技术编号:7147549
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体组件的结构,且特别是涉及一种金属氧化物半导体晶体管。背景技术金属氧化物半导体晶体管(Metal Oxide Semiconductor Transistor)是以金属氧化物半导体层作为有源层的晶体管。相较于以非晶硅薄膜作为有源层的非晶硅薄膜晶体管,金属氧化物半导体晶体管具有较高的载子迁移率(Mobility)。而相较于以低温多晶硅作为有源层的低温多晶硅薄膜晶体管,金属氧化物半导体晶体管的工艺较为简单,而且金属氧化物半导体层具有较佳的均匀...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。