技术编号：7147567
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及化合物半导体叠层构造体和使用该构造体的化合物半导体霍尔元件，还有其制造方法。更详细地，本发明涉及将InAs等作为活性层的叠层型化合物半导体的霍尔元件，本发明的目的是提供电子迁移率和薄膜电阻高，并且温度特性优越的量子阱型化合物半导体叠层体和使用这种叠层体的高灵敏度/低电力消耗，并且温度特性也优越的磁传感器。另外，本发明涉及使用霍尔元件的适用于便携式设备的各种装置。背景技术 一般，霍尔元件用于电动机的旋转控制、位置检测、磁场检测，用于无刷电动机和非接...
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