技术编号:7147677
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及磁电阻存储器,具体涉及被设计成不需要隔离器件的MRAM阵列结构。背景技术 薄膜磁电阻随机存取存储器(MRAM)能够采用多种存储单元实施方式,包括磁隧道结(MTJ)单元来制造。由于MTJ单元最易于制造和使用,从而将其用作本发明的基本示例,但应当理解,各种构思还可应用于其他MRAM单元和阵列。MTJ单元主要由一对磁层以及夹在之间的绝缘层组成。其中一个磁层具有固定的磁矢量,另一磁层具有可变的磁矢量,且可变磁矢量与固定磁矢量或同向(aligned),或反...
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