技术编号:7147691
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种采用磷埋层及浓磷埋层技术的双极横向PNP管制作工艺,属于半导体制作。背景技术随着国际半导体技术的发展以及原材料成本不断上涨,各国对于集成电路领域的竞争越来越激烈,对集成电路的性能技术要求也越来越高,总是希望能在尽可能小的芯片上做出性能优良且功耗较小的电路。在集成电路中,所有器件共用一个电衬底,通常用反偏PN结隔离双极器件,因而存在一些潜在的寄生效应。同时,在单一外延区域集成一个以上器件,也产生了更可能的寄生效应。这些寄生效应大多数是以不希望的...
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