技术编号:7147865
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及已经通过衬底剥离技术从生长衬底移除并且已被接合到支承体的第III族氮化物半导体发光器件。具体地,该半导体发光器件具有特征η型电极构造。背景技术通常,采用蓝宝石衬底作为用于生长第III族氮化物半导体的衬底。蓝宝石衬底具有低的电导率和热导率而且不具有清晰的解理面,因而使得衬底难以加工。为了解决这些问题,已经开发了衬底剥离技术,在衬底剥离技术中在生长衬底上生长第III族氮化物半导体,然后移除衬底。衬底剥离技术的一种专门技术是激光剥离技术。在激光剥离中,...
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