技术编号：7147903
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及有机半导体光电材料领域，尤其涉及一种基于聚咔唑的共轭聚电解质光电材料，及其在OLED器件的空穴注入层中的应用。背景技术如附图说明图1所示，OLED器件主要由阴极1、发光层2、空穴注入层(HIL)3、阳极4、衬底 5顺次层叠构成，电源6连接阴极I与阳极4。所述发光层2为有机材料。制备OLED器件时，通常是在衬底5上先设置氧化铟锡(ITO)作为阳极4，然后在ITO阳极4上设置空穴注入层(HIL) 3，接着在空穴注入层3上设置发光层2，最后在发光层2上...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。