具有与应变半导体基片形成肖特基或肖特基类接触的源极和/或漏极的场效应晶体管的制作方法技术资料下载

技术编号:7147934

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相关申请的对照本申请要求2002年1月23日提交的美国临时专利申请60/351114、2002年1月25日提交的美国临时专利申请60/319098以及2002年5月16日提交的美国临时专利申请60/381320的优先权,在此全文并入以供参考。背景技术本发明涉及用于调整电流的装置,并具有对集成电路(IC)环境中这些装置制造的特殊应用。尤其是,它涉及具有肖特基势垒源极和/或漏极的用于调整电流的晶体管。附图说明图1示出了本中已知的一种场效应晶体管(FET),金属...
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