技术编号：7147937
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有良好界面特性的绝缘膜的形成方法。进一步说，本发明涉及对绝缘膜照射基于下述处理气体的等离子体，从而提高该绝缘膜和基底材料之间的界面特性的方法，其中，所述处理气体至少包括含有氧原子的气体。本发明的改性方法尤其可适于使用在所谓的高介电常数材料中。背景技术 本发明一般可广泛应用于制造半导体或半导体装置以及液晶器件等电子器件材料中，但这里为了便于说明，以半导体装置(器件)的背景技术为例进行说明。在以硅为主的用于半导体或电子器件材料的基底材料上实施氧化膜...
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