技术编号：7148027
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，特别涉及。背景技术发光二极管芯片为半导体晶体，是发光二极管的核心组件。发光二极管芯片包括外延片以及在外延片上制作的电极。其中，外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的缓冲层、η型层、多量子阱层和P型层，多量子阱层为由量子垒层和量子阱层交替生长形成的多层结构，且量子垒层和量子阱层由不同的材料制成，现有多量子阱层中的量子垒层一般由不掺杂的GaN制成，量子阱层一般由InGaN制成。由于GaN量子鱼层和InGaN量子讲层之间能极差较小，电子容易在工作...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。