技术编号:7148034
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,更具体地,涉及。背景技术金属氧化物半导体(MOS)晶体管的速度与MOS晶体管的驱动电流密切相关,驱动电流还与电荷的迁移率紧密相关。例如,当NMOS晶体管的沟道区中电子迁移率高时,NMOS晶体管具有高驱动电流,而当PMOS晶体管的沟道区中空穴迁移率高时,PMOS晶体管具有高驱动电流。锗是公知的半导体材料。锗的电子迁移率和空穴迁移率大于硅的电子迁移率和空穴迁移率,硅是集成电路形成中最常用的半导体材料。因此,锗是用于形成集成电路的极好材料。然而...
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