技术编号:7148035
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及LED芯片,特别涉及一种优化的LED图形化衬底及LED芯片。背景技术LED的出光效率取决于内量子效率和外量子效率。一方面,由于GaN与蓝宝石衬底的晶格常数及热膨胀系数存在较大差异,GaN薄膜的晶体内产生了密度为IO9-1O12cnT2的穿越位错,这对GaN基LED的内量子效率产生了不利的影响。然而,随着GaN外延生长技术的不断优化,GaN的磊晶质量有所提高,目前LED的内量子效率已达到90%以上。另一方面,GaN具有较高的折射系数(η=2· 45...
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