技术编号:7148059
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)。本发明还涉及一种绝缘栅双极型晶体管的制造方法。背景技术现有绝缘栅双极型晶体管,就是在垂直型MOSFET的基础上,在硅片背面增加一 P 型区,形成一个背面的集电区。如图1所示,是现有绝缘栅双极型晶体管的结构示意图;包括形成于硅片上的N型外延层101,由N型外延层101组成漂移区。形成于硅片背面的由P+区组成的集电区102,集电区102和N型外延层101的底部接触。形成于N型外延...
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