技术编号:7148116
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。更具体地,本发明涉及用于制造包括由第III族氮化物半导体形成的P型接触层和P电极的半导体器件的方法,该方法意在改善P型接触层与P电极之间的欧姆接触。背景技术一般地,半导体器件包括P电极和与P电极接触的P型接触层。当P电极与P型接触层之间的接触电阻高时,可能生成热,并且热生成可能缩短器件的使用寿命。此外,当接触电阻高时,半导体器件的驱动电压增加。具体地,为了减少由第III族氮化物半导体形成的P型接触层与P电极之间的接触电阻,必须增加P型接触层的空...
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