技术编号：7148216
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及雪崩光电二极管，特别地，涉及具有平面p-n结的台式结构雪崩光电二极管。背景技术 由于已知的光子和电子间的相互作用，近些年在光电探测器领域取得了巨大的进展，特别是在利用半导体材料的光电探测器领域。一种基于半导体的光电探测器称作雪崩光电二极管。这种类型的结构通常由大量用作不同的目的，例如吸收和倍增，的固体半导体材料构成。雪崩光电二极管结构通过激发态电荷载流子的行为提供大增益的主要益处，激发态电荷载流子在倍增层中产生大量的电子空穴对。然而，雪崩光电二极...
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