技术编号：7148411
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术近年来，半导体封装、电子部件模块越来越小型化、高密度化、高性能化，由设备产生的噪音、热的问题变得显著。在这样的背景下，在半导体封装等制造工序中用树脂密封设备等后，为了确保电磁波屏蔽性、放热性，在上述密封树脂上形成金属膜的情况增多。在密封树脂上形成金属膜时，多采用非电解镀铜。在该非电解镀工序中，首先，在进行所要镀敷的表面的洗涤、粗化等前处理后，在树脂上形成作为镀敷的催化剂的金属核，然后实施非电解镀铜(例如参照非专利文献I及专利文献I)。现...
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