技术编号:7148481
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及第III族氮化物半导体发光器件。更具体而言,本发明涉及其中使施加到发光层的应力得以松弛的第III族氮化物半导体发光器件。背景技术近年来,采用第III族氮化物半导体(例如,GaN)的发光器件(包括高亮度蓝色LED)已经被投入实践中。通常,发光器件包括η电极、η型覆层、发光层、P型覆层和P电极,并且这些层具有不同的晶格常数。在其中例如通过外延晶体生长在下层上形成上层以制造半导体发光器件的情况下,当上层的晶格常数明显不同于下层的晶格常数时,在生长形成上...
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