技术编号:7148509
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于功率半导体器件静电放电,尤其涉及一种。背景技术静电放电(Electrostatic Discharge, ESD)是造成大多数电子组件受到破坏的重要因素,为了避免电子组件遭受破坏,电子工程师们想了很多应对策略,其中一个主流思想是对单个器件或者集成电路进行ESD设计,即通过加入ESD防护组件来保护需要被保护的器件或者集成电路。被广泛采用的ESD防护组件有二极管(Diode)、双极型晶体管(NPN/ PNP)、金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOS...
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