技术编号：7148803
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种绝缘体上硅(silicononinsulator,简称SOI)衬底及一种形成在所述绝缘体上娃衬底上的绝缘体上娃射频(Radio Frequency)器件。背景技术半导体器件持续朝高集成、高操作速度及低功耗方向发展，因此，体硅(bulksilicon)衬底的应用受到越来越多的限制。相反,绝缘体上娃衬底具有实现集成电路中元器件的介质隔离、彻底消除体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应、寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。