技术编号:7148818
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造工艺,特别涉及一种金属互连的可靠性测试结构。背景技术可靠性测试是集成电路制造工艺中极其重要的一个环节。目前金属互连的可靠性测试的内容包括接触孔、通孔、金属布线电迁移现象等,电迁移(EM)是指在较高的电流密度作用下,金属原子将会沿着电子运动方向进行迁移。电迁移能使集成电路中的互连线在工作过程中产生断路或短路,从而引起IC失效,其表现为在互连线中形成空洞,增加了电阻;空洞长大,最终贯穿互连线,形成断路;在互连引线中形成晶须,造成层间...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。