技术编号:7148829
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,特别是涉及。背景技术InP单晶具有高热导率、高辐射阻抗、高电子饱和漂移速度等优越性质,适用于高速微波器件、光电集成电路以及卫星和空间探测器用太阳能电池等。InP单晶作为衬底材料已在多个领域得到广泛应用,如长波长(1. 3 1. 55um)发光二极管、激光器和探测器,毫米波异质结双极晶体管(HBT)、高电子迁移率 晶体管(HEMT)和单片电路等。这些器件将是下一代宽带网络、区域电子对抗、预警系统、高性能雷达、卫星系统和精确制导武器等的关键部...
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