技术编号：7149139
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及半导体器件，更具体涉及功率MOSFET器件。背景技术 功率MOSFET器件用于如汽车电子系统、电源供给以及电源管理应用中。这种器件应该在断态保持高电压以及应该在通态提供低压降的强电流。图1图示了N沟道功率MOSFET的典型结构。在N+硅衬底2上形成的N-外延硅层1包含用于器件中的两个MOSFET单元的p-体区5a和6a以及N+源区7和8。P-体区5和6还可以包括深p-体区5b和6b。源区-体区电极12延伸横穿外延层1的某些表面部分，以接触源区...
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