技术编号:7149164
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,更具体地说,本发明涉及一种。背景技术闪存以其便捷,存储密度高,可靠性好等优点成为非挥发性存储器中研究的热点。从二十世纪八十年代第一个闪存产品问世以来,随着技术的发展和各类电子产品对存储的需求,闪存被广泛用于手机,笔记本,掌上电脑和U盘等移动和通讯设备中。图1示意性地示出了根据现有技术的闪存分栅结构。如图1所示,根据现有技术的闪存分栅结构包括依次布置在硅片有源区I上的栅 极氧化物层2、浮栅层3、控制栅极氧化物层4和控制栅极层5。在图...
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