技术编号：7149254
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种太阳电池制造方法，尤其涉及一种p-1-n结InGaN太阳电池制造方法。背景技术太阳能是人类取之不尽用之不竭的绿色能源，而太阳电池主要是利用光伏效应把太阳光能转换成电能的一种光电子器件，可广泛用于航空航天、国防、工农业、信息电子、住房汽车等领域，为人类可持续发展提供了一项非常重要的能源。传统的太阳电池材料主要有Si系列，GaAs系列以及其它系列等材料，但是它们的光电转换效率有限，目前Si系列和GaAs系列的单结太阳电池最高只能达到17%和25%...
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