技术编号:7149347
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有P型限制结构的氮化物发光二极管组件,具体的说是一种在活性层与P型层之间形成一局部掺杂P型限制结构的氮化物发光二极管。背景技术随着功率型氮化镓基发光二极管的效率不断提升,用氮化镓基发光二极管半导体灯替代现有的照明光源将成为势不可挡的趋势。然而半导体照明要进入千家万户,还有许多问题需要解决,其中 最核心的问题包括发光效率和可靠性。发明内容本发明提出一种具有局部掺杂P型限制结构的氮化物发光二极管,其可提高发光效率并且具有更低的电压与较佳的老化特...
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