氮化物基半导体器件及其制造方法技术资料下载

技术编号:7149677

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本发明涉及。更具体而言,本发明涉及可以改善势垒层的表面粗糙度、并且可以通过(例如)抑制铝(Al)和氧(0)的彼此结合来降低表面泄漏电流的。背景技术随着信息通讯技术的全球性大发展,用于高速大容量信号通讯的通讯技术已经得到迅速发展。特别是,随着对个人移动电话(PCS)、卫星通讯、军事雷达、广播通讯、通讯中继等无线通讯技术的需求的提高,对微波频段和毫米波频段的高速信息通讯系统所需的电力电子器件的需求也已经提高。因此,人们正积极致力于对高功率电子器件和功耗进行研究...
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