技术编号:7149759
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于薄膜晶体管领域,具体涉及一种氧化物薄膜晶体管。背景技术薄膜晶体管(TFT)是通过在绝缘支撑基底上沉积半导体材料的薄膜而制成的一种场效应晶体管。现在,商业上可获得的产品(例如笔记本计算机、PC监视器、TV、移动装置等)大部分包括非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)。随着尺寸更大并且图像质量更高的显示装置的需求的增加,需要电子迁移率比a-Si TFT的电子迁移率(例如0.5cm2/Vs至lcm2/Vs)高的高性能薄膜晶体管以及制造技术。多晶硅TFT具...
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