技术编号：7149810
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及单晶硅晶圆硅抛光片的背处理，特别涉及一种采用高温氧化制程制备IGBT用单晶硅晶圆背封材料的工艺。背景技术目前，以IGBT为代表的新型电力电子器件的快速增长，造成生产电力电子器件的主体材料硅单晶的紧缺，对国内电力电子器件的发展形成制约，从而威胁到我国以高压输变电工程、智能电网、高速铁路建设等为代表的一系列重大项目的安全；巨大的市场需求为 IGBT用外延片的原材料衬底——单晶硅晶圆抛光片的发展提供了广阔市场空间和不可多得的机遇。单晶硅晶圆抛光片的加工...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。