技术编号：7149811
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体晶圆硅抛光片的背处理技术，特别涉及一种用HF和冰乙酸配制的腐蚀液去除晶圆边缘氧化膜的方法。背景技术硅晶圆抛光片的加工一般主要包括切片、倒角、磨片、腐蚀、背处理、抛光、清洗等制程，其中背处理制程一般包括背损伤处理、背封处理和边缘氧化膜去除处理等。边缘氧化膜去除处理是硅晶圆抛光片加工的重要制程，对抛光片以及后道外延和器件的良率起着至关重要的作用因为背封工艺过程造成的倒角面、硅片正面的Sio2W残留，甚至硅片背面边缘的SiO2残留都可能成为外延生...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。