技术编号:7149853
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体分立器件的制造方法,尤其涉及一种低势垒肖特基二极管的制作方法。背景技术肖特基二极管是以金属(或金属硅化物)和半导体接触形成的二极管,简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode),具有正向压降低、反向恢复时间很短的特点.由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。对于二极管来说,正向功耗PF = IFXVF对总体功耗的贡献...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。