技术编号：7149873
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及一种包括具有带有磁化的合成存储层的磁隧道结的磁随机存取存储器(MRAM)元件，所述磁化当在高温下加热磁隧道结时可以被容易地调节并且当在低温下冷却磁隧道结时产生低杂散场。本公开也涉及一种用于写MRAM元件的热辅助方法。背景技术使用所谓的自参考读操作的MRAM单元典型地包括磁隧道结，该磁隧道结由具有其方向可以从第一稳定方向改变为第二稳定方向的磁化的磁存储层、薄绝缘层以及具有可反转方向的感测层形成。自参考MRAM单元允许以低的功耗和增加的速度执行写和读...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。