技术编号:7151844
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本文字涉及用于组合背景加热源以短、高强度脉冲来热处理半导体晶片的方法和系统,所述加热源是诸如钨卤灯或弧光灯,但并不局限于此。背景技术 为制作电器件,如微处理器和其它计算机芯片,诸如硅晶片的半导体晶片经历离子注入过程,其将杂质原子或掺杂剂引入到晶片的器件侧的表面区中。离子注入过程损坏了晶片表面区的晶格结构,从而在间隙位置中留下了所注入的掺杂剂原子,它们在间隙位置处是电惰性的。为了使掺杂剂原子移动到格子中的替代位置中以使它们是电活性的,并且修复在离子注入期间发...
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