用于图形化双波纹互连的三层掩膜结构的制作方法技术资料下载

技术编号:7152217

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本发明涉及用于集成电路中多层互连制作的方法和结构,更确切地说,涉及用于双波纹集成的硬掩膜结构和工艺。背景技术 集成电路器件包含了通过多层金属互连连接的晶体管。这些金属互连(线或插头)被夹层电介质(ILD)彼此分隔,也就是被金属互连之间的电绝缘材料彼此分隔开。金属互连被形成在层内被ILD彼此分开的线或槽中。该层有时被作为槽层。另外,通过包含孔的通孔层或者通过在ILD材料中填充了导体金属的通孔,在相邻槽层中的金属线被分开。该层有时被作为通孔层。一般而言,集成电...
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