技术编号:7153179
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失性可编程半导体存储器,特别涉及通过晶体管栅极氧化物的击穿而编程的单晶体管存储单元,以及结合了这种存储单元的存储器阵列。背景技术 当电源移除时,非易失性存储器仍然保留已储存的数据,这是许多不同种类的电子器件所期望的。可编程只读存储器(“PROM”)是一种一般可买到的非易失性存储器,其使用字线-位线交叉点元件,如熔丝、反熔丝以及俘获电荷器件,如浮栅雪崩注入金属氧化物半导体(“FAMOS”)晶体管,来储存逻辑信息。Reisinger等人在美国专利...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。