技术编号:7153666
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于微电子组装封装工艺领域,具体涉及一种采用抗辐照屏蔽材料与外壳进行一体化组装的抗辐照封装结构。技术背景在半导体制造过程中采用SOI工艺加固和抗辐照设计加固等方法,研制抗辐射加固器件。80年代初,国外研究人员开始重视CMOS器件的抗辐射封装加固技术研究,进行了抗辐射封装加固技术试验,证明封装加固技术对于屏蔽中子和Y射线较困难,但对于屏蔽空间环境的高能电子和质子相对有效。尤其对Van Alien辐射带的电子和质子来说,屏蔽效果显著。基于混合集成技术...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。