技术编号：7154357
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及半导体结构和器件以及它们的制造方法，更具体地涉及半导体结构和器件以及含有由半导体材料、化合物半导体材料、和/或例如金属和非金属的其它类型的材料构成的单晶材料层的半导体结构、器件和集成电路的制造和使用，还更具体地涉及用于在单晶衬底上生长单晶氧化物层的方法以及用于制造含有这种氧化物层的半导体结构和器件的方法。背景技术 半导体器件常常包括多层导电、绝缘和半导体层。常常用层的可结晶性提供这类层的理想特性。例如，随着层的可结晶性增长，提高了半导体层的电...
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