技术编号:7154379
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有浮栅(FG)与控制栅(CG)的耦合率(也称做耦合系数)增大的非易失性浮栅半导体存储器件、形成这种半导体器件的方法以及使用这种半导体器件的超高密度的非易失性存储器(NVM)。NVM的一些例子包括EPROM、EEPROM以及快闪存储单元。NVM广泛用在商业和军事电子装置和设备中,例如手持电话、无线电以及数字照相机。这些电子装置的市场不断需要具有更低电源电压、更低功耗以及芯片尺寸降低的器件。快闪存储器或快闪存储单元包括MOSFET,在控制栅和沟道区...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。