技术编号:7154621
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种镧系氧化物栅氧浅沟槽结构,属于开关型沟槽栅功率器件的沟槽栅结构。背景技术VDMOS和IGBT是新型的功率器件,分别对应着击穿电压在200V以下以及600V以上的应用。这些开关型功率器件,是电力电子技术的核心元件,具有①耐压高,②导通电阻低、电流密度大,③导通时器件压降低,④开关速度高,⑤驱动功率小等特点,决定着电能转换模块的转换效率,微型化、智能化程度。在快速开关电源、电子整流器、电动汽车助动车、空调机、微波炉、风能转换、太阳能转换等诸多...
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