技术编号:7154649
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。背景技术 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件通常制作成包含三个分开的端,称为源、栅、漏。这些器件中,源区和体区典型地互相短接。但是在其它设计中,MOSFET器件制作成包含四个分开的端的形式,其第四端为体端(body terminal)。图1所示为典型的四端MOSFET结构。该结构包含P型体区102和P+体接触区103,N+源区104,N+漏区106及栅区,它由掺杂多晶硅导电区108和栅电介质层109构成。在导电区108上设置了绝缘层110。在...
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