技术编号:7155282
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及有机硅氧烷树脂以及使用该有机硅氧烷树脂的绝缘膜。详细地,本发明涉及具有优良的机械特性和低介电性的有机硅氧烷树脂、和使用该有机硅氧烷树脂的用于半导体设备的绝缘膜。背景技术 近来,制备半导体设备所用的线宽度随半导体设备集成程度的增加而快速减少。一般地,半导体设备的速度与栅极的切换速度和信号传送速度成比例。后者由根据导线材料的电阻与夹层绝缘膜的静电电容之积所示的RC延迟决定。随着半导体设备的设计规则被简化,高密度芯片的速度由RC延迟决定,而不是由栅极的...
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